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| Numero di parte | IXFH7N80 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 7A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 2.5mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 130nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2800pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 180W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4 Ohm @ 3.5A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247AD (IXFH) |
| Pacchetto / caso | TO-247-3 |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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IXF611P1 | IXYS | IC DRIVER MOSF/IGBT HALF 8DIP | - | 0 | Dettagli |
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IXF611S1 | IXYS | IC DRIVER MOSF/IGBT HALF 8-SOIC | - | 0 | Dettagli |
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IXF611S1T/R | IXYS | IC DRIVER MOSF/IGBT HALF 8-SOIC | - | 0 | Dettagli |
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IXFA102N15T | IXYS | MOSFET N-CH 150V 102A D2PAK | 0 | Dettagli | |
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IXFA10N60P | IXYS | MOSFET N-CH 600V 10A D2-PAK | - | 142 | Dettagli |
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IXFA10N80P | IXYS | MOSFET N-CH 800V 10A TO-263 | - | 0 | Dettagli |
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IXFA110N15T2 | IXYS | MOSFET N-CH 150V 110A D2PAK | 0 | Dettagli | |
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IXFA12N50P | IXYS | MOSFET N-CH 500V 12A D2-PAK | 0 | Dettagli | |
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IXFA12N65X2 | IXYS | MOSFET N-CH | - | 27614 | Dettagli |
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IXFA130N10T | IXYS | MOSFET N-CH 100V 130A D2PAK | 0 | Dettagli | |
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IXFA130N10T2 | IXYS | MOSFET N-CH 100V 130A TO-263AA | - | 0 | Dettagli |
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IXFA130N15X3 | IXYS | MOSFET N-CH | - | 12123 | Dettagli |