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| Numero di parte | IXFD80N20Q-8XQ |
|---|---|
| Stato parte | Last Time Buy |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | - |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Vgs (massimo) | - |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | - |
| Pacchetto dispositivo fornitore | Die |
| Pacchetto / caso | Die |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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IXFD80N10Q-8XQ | IXYS | MOSFET N-CH | - | 0 | Dettagli |
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IXFD80N20Q-8XQ | IXYS | MOSFET N-CH | - | 0 | Dettagli |