IXCY01N90E

MOSFET N-CH 900V 0.25A TO-252
IXCY01N90E P1
IXCY01N90E P1
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IXYS ~ IXCY01N90E

Numero di parte
IXCY01N90E
fabbricante
IXYS
Descrizione
MOSFET N-CH 900V 0.25A TO-252
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Numero di parte IXCY01N90E
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 900V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 250mA (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 25µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.5nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 133pF @ 25V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 80 Ohm @ 50mA, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore TO-252
Pacchetto / caso TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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