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| Numero di parte | SPW24N60CFDFKSA1 |
|---|---|
| Stato parte | Not For New Designs |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 21.7A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 1.2mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 143nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3160pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 240W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 185 mOhm @ 15.4A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO247-3 |
| Pacchetto / caso | TO-247-3 |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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SPW24N60C3 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 24.3A TO-247 | - | 3 | Dettagli |
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SPW24N60C3FKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 24.3A TO-247 | - | 8553 | Dettagli |
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SPW24N60CFDFKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 21.7A TO-247 | - | 0 | Dettagli |