Le immagini sono solo di riferimento.
Vedi le Specifiche del prodotto per i dettagli del prodotto.
| Numero di parte | SPP21N50C3XKSA1 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 21A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 95nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2400pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 208W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190 mOhm @ 13.1A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO220-3-1 |
| Pacchetto / caso | TO-220-3 |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SPP21N10 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 21A TO-220AB | 0 | Dettagli | |
 |
SPP21N50C3HKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 560V 21A TO-220AB | - | 0 | Dettagli |
 |
SPP21N50C3XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 500V 21A TO220-3 | 2374 | Dettagli |