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Numero di parte | SPP20N65C3HKSA1 |
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Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 20.7A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 114nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2400pF @ 25V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 208W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190 mOhm @ 13.1A, 10V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO220-3-1 |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |