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Infineon Technologies ~ SPI80N06S2-08

Numero di parte	SPI80N06S2-08
Stato parte	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	55V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	80A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 150µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	96nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	3800pF @ 25V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	215W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8 mOhm @ 58A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	PG-TO262-3-1
Pacchetto / caso	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
SPI80N03S2-03	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 30V 80A I2PAK	Dettagli
SPI80N03S2L-03	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 30V 80A I2PAK	Dettagli
SPI80N03S2L-04	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 30V 80A I2PAK	Dettagli
SPI80N03S2L-05	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 30V 80A I2PAK	Dettagli
SPI80N03S2L-06	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 30V 80A I2PAK	Dettagli
SPI80N04S2-04	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 40V 80A I2PAK	Dettagli
SPI80N06S-08	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK	Dettagli
SPI80N06S2-07	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK	Dettagli
SPI80N06S2-08	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK	Dettagli
SPI80N06S2L-05	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK	Dettagli
SPI80N06S2L-11	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK	Dettagli
SPI80N08S2-07	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 75V 80A I2PAK	Dettagli