SPI21N10

MOSFET N-CH 100V 21A TO-262
SPI21N10 P1
SPI21N10 P1
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Infineon Technologies ~ SPI21N10

Numero di parte
SPI21N10
fabbricante
Infineon Technologies
Descrizione
MOSFET N-CH 100V 21A TO-262
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Numero di parte SPI21N10
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 21A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 44µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 38.4nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 865pF @ 25V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 90W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 80 mOhm @ 15A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore PG-TO262-3-1
Pacchetto / caso TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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