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| Numero di parte | SPD30P06P G |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 30A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1.7mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 48nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1535pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 125W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 75 mOhm @ 21.5A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO252-3 |
| Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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SPD30N03S2L-07 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 30A DPAK | 0 | Dettagli | |
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SPD30N03S2L-10 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 30A DPAK | 0 | Dettagli | |
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SPD30N03S2L-20 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 30A DPAK | 0 | Dettagli | |
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SPD30N03S2L07GBTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3 | 0 | Dettagli | |
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SPD30N03S2L07T | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 30A DPAK | 0 | Dettagli | |
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SPD30N03S2L10GBTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3 | 0 | Dettagli | |
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SPD30N03S2L10T | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 30A DPAK | 0 | Dettagli | |
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SPD30N03S2L20GBTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3 | 0 | Dettagli | |
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SPD30N06S2-15 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 30A DPAK | 0 | Dettagli | |
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SPD30N06S2-23 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 30A DPAK | - | 0 | Dettagli |
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SPD30N06S2L-13 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 30A DPAK | 0 | Dettagli | |
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SPD30N06S2L-23 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 30A DPAK | 0 | Dettagli |