SPB12N50C3ATMA1

MOSFET N-CH 560V 11.6A TO-263
SPB12N50C3ATMA1 P1
SPB12N50C3ATMA1 P1
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Infineon Technologies ~ SPB12N50C3ATMA1

Numero di parte
SPB12N50C3ATMA1
fabbricante
Infineon Technologies
Descrizione
MOSFET N-CH 560V 11.6A TO-263
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
- SPB12N50C3ATMA1 PDF online browsing
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Numero di parte SPB12N50C3ATMA1
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 560V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 11.6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 380 mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.9V @ 500µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 49nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1200pF @ 25V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 125W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore PG-TO263-3-2
Pacchetto / caso TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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