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| Numero di parte | IRLU3110ZPBF |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 42A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 100µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 48nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3980pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±16V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 140W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14 mOhm @ 38A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | IPAK (TO-251) |
| Pacchetto / caso | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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IRLU014 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 7.7A I-PAK | - | 0 | Dettagli |
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IRLU014N | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 10A I-PAK | 0 | Dettagli | |
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IRLU014NPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 10A I-PAK | 0 | Dettagli | |
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IRLU014PBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 7.7A I-PAK | - | 4679 | Dettagli |
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IRLU024 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 14A I-PAK | - | 0 | Dettagli |
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IRLU024N | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 17A I-PAK | 0 | Dettagli | |
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IRLU024NPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 17A I-PAK | 5570 | Dettagli | |
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IRLU024PBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 14A I-PAK | - | 5839 | Dettagli |
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IRLU024ZPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 16A I-PAK | 0 | Dettagli | |
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IRLU110 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 4.3A I-PAK | - | 0 | Dettagli |
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IRLU110ATU | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 4.7A I-PAK | 0 | Dettagli | |
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IRLU110PBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 4.3A I-PAK | - | 2995 | Dettagli |