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| Numero di parte | IRL7472L1TRPBF |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 375A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 330nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 20082pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 3.8W (Ta), 341W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 0.59 mOhm @ 195A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | DIRECTFET L8 |
| Pacchetto / caso | DirectFET™ Isometric L8 |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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IRL7472L1TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 375A | - | 0 | Dettagli |
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IRL7486MTRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 209A | - | 0 | Dettagli |