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| Numero di parte | IRG7T50FF12E |
|---|---|
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo IGBT | - |
| Configurazione | Three Phase Inverter |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
| Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100A |
| Potenza - Max | 340W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.2V @ 15V, 50A |
| Corrente - Limite del collettore (max) | 1mA |
| Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 6.7nF @ 25V |
| Ingresso | Standard |
| Termistore NTC | Yes |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto / caso | POWIR ECO 2™ Module |
| Pacchetto dispositivo fornitore | POWIR ECO 2™ |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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IRG7CH11K10EF | Infineon Technologies | IGBT 1200V DIE | - | 0 | Dettagli |
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IRG7CH20K10EF | Infineon Technologies | IGBT 1200V DIE | - | 0 | Dettagli |
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IRG7CH23K10EF | Infineon Technologies | IGBT 1200V DIE | - | 0 | Dettagli |
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IRG7CH28UED | Infineon Technologies | IGBT 1200V ULTRA FAST DIE | - | 0 | Dettagli |
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IRG7CH28UEF | Infineon Technologies | IGBT 1200V ULTRA FAST DIE | 0 | Dettagli | |
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IRG7CH30K10EF | Infineon Technologies | IGBT CHIP WAFER | 0 | Dettagli | |
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IRG7CH35UED | Infineon Technologies | IGBT 1200V ULTRA FAST DIE | - | 0 | Dettagli |
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IRG7CH35UEF | Infineon Technologies | IGBT 1200V ULTRA FAST DIE | 0 | Dettagli | |
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IRG7CH37K10EF | Infineon Technologies | IGBT CHIP WAFER | 0 | Dettagli | |
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IRG7CH42UED | Infineon Technologies | IGBT 1200V ULTRA FAST DIE | - | 0 | Dettagli |
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IRG7CH42UEF | Infineon Technologies | IGBT 1200V ULTRA FAST DIE | 0 | Dettagli | |
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IRG7CH44K10EF | Infineon Technologies | IGBT CHIP WAFER | 0 | Dettagli |