IRFU120Z

MOSFET N-CH 100V 8.7A I-PAK
IRFU120Z P1
IRFU120Z P1
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Infineon Technologies ~ IRFU120Z

Numero di parte
IRFU120Z
fabbricante
Infineon Technologies
Descrizione
MOSFET N-CH 100V 8.7A I-PAK
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Numero di parte IRFU120Z
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 8.7A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 310pF @ 25V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 190 mOhm @ 5.2A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore IPAK (TO-251)
Pacchetto / caso TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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