IRFS52N15DPBF

MOSFET N-CH 150V 51A D2PAK
IRFS52N15DPBF P1
IRFS52N15DPBF P1
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Infineon Technologies ~ IRFS52N15DPBF

Numero di parte
IRFS52N15DPBF
fabbricante
Infineon Technologies
Descrizione
MOSFET N-CH 150V 51A D2PAK
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Numero di parte IRFS52N15DPBF
Stato parte Not For New Designs
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 150V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 51A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 89nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2770pF @ 25V
Vgs (massimo) ±30V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 3.8W (Ta), 230W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 32 mOhm @ 36A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore D2PAK
Pacchetto / caso TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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