IRFP4227PBF

MOSFET N-CH 200V 65A TO-247AC
IRFP4227PBF P1
IRFP4227PBF P1
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Infineon Technologies ~ IRFP4227PBF

Numero di parte
IRFP4227PBF
fabbricante
Infineon Technologies
Descrizione
MOSFET N-CH 200V 65A TO-247AC
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Numero di parte IRFP4227PBF
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 65A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 98nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4600pF @ 25V
Vgs (massimo) ±30V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 330W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25 mOhm @ 46A, 10V
temperatura di esercizio -40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore TO-247AC
Pacchetto / caso TO-247-3

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