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Infineon Technologies ~ IRFHM8228TRPBF

Numero di parte	IRFHM8228TRPBF
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	25V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	19A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.35V @ 25µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	18nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1667pF @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2.8W (Ta), 34W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.2 mOhm @ 20A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Pacchetto / caso	8-PowerTDFN

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
IRFHM3911TRPBF	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 10A PQFN	Dettagli
IRFHM4226TRPBF	Infineon Technologies	MOSFET N CH 25V 28A PQFN	Dettagli
IRFHM4231TRPBF	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 25V 40A PQFN	Dettagli
IRFHM4234TRPBF	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 25V 20A PQFN	Dettagli
IRFHM7194TRPBF	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 9.3A	Dettagli
IRFHM792TR2PBF	Infineon Technologies	MOSFET 2N-CH 100V 2.3A 8PQFN	Dettagli
IRFHM792TRPBF	Infineon Technologies	MOSFET 2N-CH 100V 2.3A 8PQFN	Dettagli
IRFHM8228TRPBF	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 25V 19A 8PQFN	Dettagli
IRFHM8235TRPBF	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 25V 16A 8PQFN	Dettagli
IRFHM830DTR2PBF	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 30V 20A PQFN	Dettagli
IRFHM830DTRPBF	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 30V 20A PQFN	Dettagli
IRFHM830TR2PBF	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 30V 21A PQFN	Dettagli