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| Numero di parte | IRFH9310TRPBF |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 21A (Ta), 40A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 100µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 58nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 5250pF @ 15V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 3.1W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.6 mOhm @ 21A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PQFN (5x6) |
| Pacchetto / caso | 8-PowerVDFN |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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IRFH9310TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 21A PQFN | 0 | Dettagli |