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| Numero di parte | IRFH8337TRPBF |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 12A (Ta), 35A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.35V @ 25µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 790pF @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 3.2W (Ta), 27W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12.8 mOhm @ 16.2A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PQFN (5x6) |
| Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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IRFH8201TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 100A PQFN | 0 | Dettagli | |
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IRFH8202TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 100A PQFN | 4000 | Dettagli | |
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IRFH8303TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 100A PQFN | 0 | Dettagli | |
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IRFH8307TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 100A PQFN | 0 | Dettagli | |
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IRFH8311TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N CH 30V 32A PQFN5X6 | 0 | Dettagli | |
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IRFH8316TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 27A PQFN5X6 | 4000 | Dettagli | |
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IRFH8318TR2PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 21A 5X6 PQFN | 0 | Dettagli | |
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IRFH8318TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 50A 5X6 PQFN | 4000 | Dettagli | |
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IRFH8321TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N CH 30V 21A PQFN5X6 | 0 | Dettagli | |
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IRFH8324TR2PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 18A 5X6 PQFN | 1600 | Dettagli | |
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IRFH8324TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 90A 5X6 PQFN | 0 | Dettagli | |
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IRFH8325TR2PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 17A 5X6 PQFN | 0 | Dettagli |