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| Numero di parte | IRFB52N15DPBF |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 51A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 89nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2770pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±30V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 3.8W (Ta), 230W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 32 mOhm @ 36A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
| Pacchetto / caso | TO-220-3 |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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IRFB52N15DPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 51A TO-220AB | 158 | Dettagli | |
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IRFB5615PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 35A TO-220AB | 125 | Dettagli | |
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IRFB5620PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 25A TO-220AB | 0 | Dettagli | |
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IRFB59N10DPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 59A TO-220AB | 1521 | Dettagli |