IRF8915TR

MOSFET 2N-CH 20V 8.9A 8-SOIC
IRF8915TR P1
IRF8915TR P1
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Infineon Technologies ~ IRF8915TR

Numero di parte
IRF8915TR
fabbricante
Infineon Technologies
Descrizione
MOSFET 2N-CH 20V 8.9A 8-SOIC
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Array
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Numero di parte IRF8915TR
Stato parte Obsolete
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 8.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18.3 mOhm @ 8.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.4nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 540pF @ 10V
Potenza - Max 2W
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore 8-SO

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