IRF7606TR

MOSFET P-CH 30V 3.6A MICRO8
IRF7606TR P1
IRF7606TR P1
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Infineon Technologies ~ IRF7606TR

Numero di parte
IRF7606TR
fabbricante
Infineon Technologies
Descrizione
MOSFET P-CH 30V 3.6A MICRO8
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Numero di parte IRF7606TR
Stato parte Obsolete
Tipo FET P-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 3.6A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 520pF @ 25V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 1.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90 mOhm @ 2.4A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore Micro8™
Pacchetto / caso 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

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