IRF7453

MOSFET N-CH 250V 2.2A 8-SOIC
IRF7453 P1
IRF7453 P1
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Infineon Technologies ~ IRF7453

Numero di parte
IRF7453
fabbricante
Infineon Technologies
Descrizione
MOSFET N-CH 250V 2.2A 8-SOIC
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Numero di parte IRF7453
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 250V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 2.2A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 38nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 930pF @ 25V
Vgs (massimo) ±30V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 230 mOhm @ 1.3A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore 8-SO
Pacchetto / caso 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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