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| Numero di parte | IRF3710LPBF |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 57A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 130nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3130pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 200W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23 mOhm @ 28A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-262 |
| Pacchetto / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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IRF3000 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 300V 1.6A 8-SOIC | 0 | Dettagli | |
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IRF3000PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 300V 1.6A 8-SOIC | 0 | Dettagli | |
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IRF3007PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 75A TO-220AB | 0 | Dettagli | |
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IRF3007SPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 62A D2PAK | 0 | Dettagli | |
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IRF3007STRLPBF | Infineon Technologies | MOSFET N CH 75V 62A D2PAK | 0 | Dettagli | |
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IRF300P226 | Infineon Technologies | MOSFET IFX OPTIMOS TO247 | - | 0 | Dettagli |
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IRF300P227 | Infineon Technologies | MOSFET IFX OPTIMOS TO247 | 0 | Dettagli | |
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IRF3205L | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 110A TO-262 | 0 | Dettagli | |
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IRF3205LPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 110A TO-262 | 1776 | Dettagli | |
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IRF3205PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 110A TO-220AB | 7392 | Dettagli | |
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IRF3205SPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK | 64 | Dettagli | |
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IRF3205STRLPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK | 1600 | Dettagli |