IRF3546MTRPBF

MOSFET 4N-CH 25V 16A/20A 41PQFN
IRF3546MTRPBF P1
IRF3546MTRPBF P1
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Infineon Technologies ~ IRF3546MTRPBF

Numero di parte
IRF3546MTRPBF
fabbricante
Infineon Technologies
Descrizione
MOSFET 4N-CH 25V 16A/20A 41PQFN
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
IRF3546MTRPBF.pdf IRF3546MTRPBF PDF online browsing
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Array
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Numero di parte IRF3546MTRPBF
Stato parte Active
Tipo FET 4 N-Channel
Caratteristica FET Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 25V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 16A (Tc), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.9 mOhm @ 27A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.1V @ 35µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1310pF @ 13V
Potenza - Max -
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 41-PowerVFQFN
Pacchetto dispositivo fornitore 41-PQFN (6x8)

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