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| Numero di parte | IRF1310NSPBF |
|---|---|
| Stato parte | Not For New Designs |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 42A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 110nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1900pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 3.8W (Ta), 160W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 36 mOhm @ 22A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | D2PAK |
| Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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IRF100B201 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 192A TO-220AB | 1656 | Dettagli | |
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IRF100B202 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 97A TO-220AB | 2695 | Dettagli | |
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IRF100P218XKMA1 | Infineon Technologies | TRENCHMOSFETS | - | 7158 | Dettagli |
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IRF100P219XKMA1 | Infineon Technologies | TRENCHMOSFETS | - | 8151 | Dettagli |
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IRF100S201 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 192A D2PAK | 800 | Dettagli | |
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IRF1010EL | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 84A TO-262 | 0 | Dettagli | |
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IRF1010EPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 84A TO-220AB | 1008 | Dettagli | |
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IRF1010ESTRLPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 84A D2PAK | - | 22400 | Dettagli |
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IRF1010ESTRR | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 84A D2PAK | 0 | Dettagli | |
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IRF1010EZ | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 75A TO-220AB | 0 | Dettagli | |
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IRF1010EZL | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 75A TO-262 | 0 | Dettagli | |
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IRF1010EZLPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 75A TO-262 | 0 | Dettagli |