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| Numero di parte | IPW60R299CP |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 11A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 440µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1100pF @ 100V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 96W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 299 mOhm @ 6.6A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO247-3 |
| Pacchetto / caso | TO-247-3 |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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IPW60R017C7XKSA1 | Infineon Technologies | HIGH POWER_NEW | 0 | Dettagli | |
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IPW60R018CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | HIGH POWERNEW | - | 3738 | Dettagli |
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IPW60R031CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO247-3 | - | 4432 | Dettagli |
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IPW60R037CSFDXKSA1 | Infineon Technologies | HIGH POWERNEW | - | 6185 | Dettagli |
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IPW60R037P7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 76A TO247-3 | - | 381 | Dettagli |
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IPW60R040C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 50A TO247-3 | 525 | Dettagli | |
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IPW60R040CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | HIGH POWERNEW | - | 4664 | Dettagli |
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IPW60R041C6 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 77.5A TO 247-3 | - | 1135 | Dettagli |
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IPW60R041C6FKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 77.5A TO 247-3 | - | 4144 | Dettagli |
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IPW60R041P6FKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 77.5A TO247-3 | 466 | Dettagli | |
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IPW60R045CP | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 60A TO-247 | - | 3841 | Dettagli |
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IPW60R045CPAFKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 60A TO-247 | 0 | Dettagli |