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Numero di parte | IPW60R075CPFKSA1 |
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Stato parte | Not For New Designs |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 39A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 75 mOhm @ 26A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 1.7mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 116nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4000pF @ 100V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 313W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO247-3 |
Pacchetto / caso | TO-247-3 |