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| Numero di parte | IPU95R3K7P7AKMA1 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 950V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.7 Ohm @ 800mA, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 40µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 196pF @ 400V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 22W (Tc) |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO251-3 |
| Pacchetto / caso | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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IPU95R1K2P7AKMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 950V 6A TO251 | - | 37420 | Dettagli |
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IPU95R2K0P7AKMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 950V 4A TO251 | - | 47381 | Dettagli |
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IPU95R3K7P7AKMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 950V 2A TO251 | - | 56776 | Dettagli |
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IPU95R450P7AKMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 950V 14A TO251 | - | 22947 | Dettagli |
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IPU95R750P7AKMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 950V 9A TO251 | - | 31663 | Dettagli |