IPP80R750P7XKSA1

MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO220-3
IPP80R750P7XKSA1 P1
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Infineon Technologies ~ IPP80R750P7XKSA1

Numero di parte
IPP80R750P7XKSA1
fabbricante
Infineon Technologies
Descrizione
MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO220-3
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
- IPP80R750P7XKSA1 PDF online browsing
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Numero di parte IPP80R750P7XKSA1
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 800V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 7A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 460pF @ 500V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 51W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs -
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore PG-TO220-3
Pacchetto / caso TO-220-3

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