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| Numero di parte | IPL65R725CFDAUMA1 |
|---|---|
| Stato parte | Last Time Buy |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 5.8A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 200µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 615pF @ 100V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 62.5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 725 mOhm @ 2.1A, 10V |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | Thin-Pak (8x8) |
| Pacchetto / caso | 4-PowerTSFN |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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IPL65R070C7AUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 4VSON | 0 | Dettagli | |
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IPL65R1K5C6SATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 8TSON | 0 | Dettagli | |
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IPL65R210CFDAUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 4VSON | 0 | Dettagli | |
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