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Numero di parte | IPL65R340CFDAUMA1 |
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Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 10.9A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 400µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 41nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1100pF @ 100V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 104.2W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 340 mOhm @ 4.4A, 10V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | Thin-Pak (8x8) |
Pacchetto / caso | 4-PowerTSFN |