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Numero di parte | IPD65R660CFDBTMA1 |
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Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 6A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 200µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 615pF @ 100V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 62.5W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 660 mOhm @ 2.1A, 10V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO252-3 |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |