Le immagini sono solo di riferimento.
Vedi le Specifiche del prodotto per i dettagli del prodotto.
Numero di parte | IPC60N04S4L06ATMA1 |
---|---|
Stato parte | Not For New Designs |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 60A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 30µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 43nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3600pF @ 25V |
Vgs (massimo) | ±16V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 63W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.6 mOhm @ 30A, 10V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TDSON-8-23 |
Pacchetto / caso | 8-PowerVDFN |