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| Numero di parte | IPB77N06S3-09 |
|---|---|
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 77A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 55µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 103nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 5335pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 107W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.8 mOhm @ 39A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO263-3-2 |
| Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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IPB77N06S212ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 77A TO263-3 | - | 0 | Dettagli |
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IPB77N06S212ATMA2 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 77A TO263-3 | 0 | Dettagli | |
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IPB77N06S3-09 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 77A D2PAK | 0 | Dettagli |