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Numero di parte | IPB120N04S4L02ATMA1 |
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Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 120A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 110µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 190nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 14560pF @ 25V |
Vgs (massimo) | +20V, -16V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 158W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.7 mOhm @ 100A, 10V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO263-3-2 |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |