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| Numero di parte | IPA80R1K2P7XKSA1 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4.5A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 25W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO220 Full Pack |
| Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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IPA80R1K0CEXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V TO-220-3 | 0 | Dettagli | |
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IPA80R1K0CEXKSA2 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V TO-220-3 | 221 | Dettagli | |
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IPA80R1K2P7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO220-3 | - | 0 | Dettagli |
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IPA80R1K4CEXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V TO-220-3 | 0 | Dettagli | |
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IPA80R1K4CEXKSA2 | Infineon Technologies | MOSFET NCH 800V 3.9A TO220-3 | 995 | Dettagli | |
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IPA80R1K4P7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V 4A TO220 | 488 | Dettagli | |
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IPA80R280P7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V 17A TO220 | 338 | Dettagli | |
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IPA80R310CEXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V TO-220-3 | 70 | Dettagli | |
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IPA80R310CEXKSA2 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V TO-220-3 | 348 | Dettagli | |
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IPA80R360P7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO220-3 | - | 0 | Dettagli |
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IPA80R450P7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V 11A TO220 | 0 | Dettagli | |
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IPA80R460CEXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V TO-220-3 | 0 | Dettagli |