Le immagini sono solo di riferimento.
Vedi le Specifiche del prodotto per i dettagli del prodotto.
Numero di parte | IPA50R950CE |
---|---|
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4.3A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 13V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 100µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10.5nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 231pF @ 100V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Caratteristica FET | Super Junction |
Dissipazione di potenza (max) | 25.7W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 950 mOhm @ 1.2A, 13V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO220FP |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack |