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| Numero di parte | IPA50R800CE |
|---|---|
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 5A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 13V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 130µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12.4nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 280pF @ 100V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | Super Junction |
| Dissipazione di potenza (max) | 26.4W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 800 mOhm @ 1.5A, 13V |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO-220-FP |
| Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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IPA50R140CP | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 500V 23A TO220-3 | - | 606 | Dettagli |
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IPA50R140CPXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 500V 23A TO220-3 | - | 12520 | Dettagli |
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IPA50R190CE | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 500V 18.5A TO220FP | - | 0 | Dettagli |
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IPA50R190CEXKSA2 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 500V 18.5A TO220FP | 0 | Dettagli | |
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IPA50R199CP | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 500V 17A TO220-3 | - | 401 | Dettagli |
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IPA50R199CPXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 500V 17A TO220-3 | - | 32643 | Dettagli |
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IPA50R250CP | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 500V 13A TO220-3 | - | 514 | Dettagli |
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IPA50R250CPXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 500V 13A TO220-3 | - | 21522 | Dettagli |
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IPA50R280CE | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 500V 13A PG-TO220FP | 0 | Dettagli | |
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IPA50R280CEXKSA2 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 500V 7.5A TO-220FP | 920 | Dettagli | |
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IPA50R299CPXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 550V 12A TO220-3 | - | 0 | Dettagli |
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IPA50R350CPXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 500V 10A TO220-3 | - | 444 | Dettagli |