Le immagini sono solo di riferimento.
Vedi le Specifiche del prodotto per i dettagli del prodotto.
| Numero di parte | IPA028N08N3GXKSA1 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 89A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.8 mOhm @ 89A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 270µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 206nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 14200pF @ 40V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 42W (Tc) |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO220-FP |
| Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPA028N08N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 89A TO220-3 | 774 | Dettagli | |
 |
IPA028N08N3GXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 89A TO220-3 | - | 9544 | Dettagli |