IFS75B12N3E4B31BOSA1

MOD IGBT LOW PWR ECONO
IFS75B12N3E4B31BOSA1 P1
IFS75B12N3E4B31BOSA1 P1
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Infineon Technologies ~ IFS75B12N3E4B31BOSA1

Numero di parte
IFS75B12N3E4B31BOSA1
fabbricante
Infineon Technologies
Descrizione
MOD IGBT LOW PWR ECONO
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Transistor - IGBT - Moduli
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Numero di parte IFS75B12N3E4B31BOSA1
Stato parte Active
Tipo IGBT Trench Field Stop
Configurazione Full Bridge
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 150A
Potenza - Max 385W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.15V @ 15V, 75A
Corrente - Limite del collettore (max) 1mA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce 4.3nF @ 25V
Ingresso Standard
Termistore NTC Yes
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C
Tipo di montaggio Chassis Mount
Pacchetto / caso Module
Pacchetto dispositivo fornitore Module

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