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| Numero di parte | IDP08E65D1XKSA1 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo diodo | Standard |
| Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 650V |
| Corrente - Rettificato medio (Io) | 8A |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 8A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 80ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 40µA @ 650V |
| Capacità @ Vr, F | - |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / caso | TO-220-2 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220-2 |
| Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 175°C |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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IDP08E65D1XKSA1 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 650V 8A TO220-2 | - | 890 | Dettagli |
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IDP08E65D2XKSA1 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 650V 8A TO220-2 | - | 414 | Dettagli |