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| Numero di parte | IDH10G65C5ZXKSA1 |
|---|---|
| Stato parte | Discontinued at Digi-Key |
| Tipo diodo | Silicon Carbide Schottky |
| Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 650V |
| Corrente - Rettificato medio (Io) | 10A (DC) |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 10A |
| Velocità | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 0ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 180µA @ 650V |
| Capacità @ Vr, F | 300pF @ 1V, 1MHz |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / caso | TO-220-2 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO220-2 |
| Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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IDH10G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | DIODE SCHOTTKY 1200V 10A TO220-2 | 823 | Dettagli | |
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IDH10G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO220-2 | - | 0 | Dettagli |
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IDH10G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO220-2 | - | 0 | Dettagli |
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IDH10G65C5ZXKSA1 | Infineon Technologies | DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO220-2 | - | 0 | Dettagli |
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IDH10G65C6XKSA1 | Infineon Technologies | SIC DIODES | - | 0 | Dettagli |