FD16001200R17HP4B2BOSA2

IGBT MODULE VCES 1700V 1600A
FD16001200R17HP4B2BOSA2 P1
FD16001200R17HP4B2BOSA2 P1
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Infineon Technologies ~ FD16001200R17HP4B2BOSA2

Numero di parte
FD16001200R17HP4B2BOSA2
fabbricante
Infineon Technologies
Descrizione
IGBT MODULE VCES 1700V 1600A
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
- FD16001200R17HP4B2BOSA2 PDF online browsing
Famiglia
Transistor - IGBT - Moduli
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Numero di parte FD16001200R17HP4B2BOSA2
Stato parte Active
Tipo IGBT -
Configurazione Dual Brake Chopper
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1700V
Corrente - Collector (Ic) (Max) -
Potenza - Max 10500W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.25V @ 15V, 1600A
Corrente - Limite del collettore (max) 5mA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce 130nF @ 25V
Ingresso Standard
Termistore NTC No
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C
Tipo di montaggio Chassis Mount
Pacchetto / caso Module
Pacchetto dispositivo fornitore Module

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