FD1000R33HE3KBPSA1

IGBT MODULE VCES 1700V 1000A
FD1000R33HE3KBPSA1 P1
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Infineon Technologies ~ FD1000R33HE3KBPSA1

Numero di parte
FD1000R33HE3KBPSA1
fabbricante
Infineon Technologies
Descrizione
IGBT MODULE VCES 1700V 1000A
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
- FD1000R33HE3KBPSA1 PDF online browsing
Famiglia
Transistor - IGBT - Moduli
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Numero di parte FD1000R33HE3KBPSA1
Stato parte Active
Tipo IGBT Trench Field Stop
Configurazione Dual Brake Chopper
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 3300V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 1000A
Potenza - Max 11500W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.1V @ 15V, 1000A
Corrente - Limite del collettore (max) 5mA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce 190nF @ 25V
Ingresso Standard
Termistore NTC No
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C
Tipo di montaggio Chassis Mount
Pacchetto / caso Module
Pacchetto dispositivo fornitore Module

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