BUZ31 E3046

MOSFET N-CH 200V 14.5A TO262-3
BUZ31 E3046 P1
BUZ31 E3046 P1
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Infineon Technologies ~ BUZ31 E3046

Numero di parte
BUZ31 E3046
fabbricante
Infineon Technologies
Descrizione
MOSFET N-CH 200V 14.5A TO262-3
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Numero di parte BUZ31 E3046
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 14.5A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 5V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1120pF @ 25V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 95W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 200 mOhm @ 9A, 5V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore PG-TO-220-3
Pacchetto / caso TO-220-3

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