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| Numero di parte | BTS282ZE3180AATMA2 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 49V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 80A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 240µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 232nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4800pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | Temperature Sensing Diode |
| Dissipazione di potenza (max) | 300W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.5 mOhm @ 36A, 10V |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO263-7-1 |
| Pacchetto / caso | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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BTS282Z E3180A | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 49V 80A TO-220-7 | 0 | Dettagli | |
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BTS282Z E3230 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7 | 0 | Dettagli | |
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BTS282ZAKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7 | 0 | Dettagli | |
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BTS282ZE3180AATMA2 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 49V 80A TO-220-7 | - | 0 | Dettagli |
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BTS282ZE3230AKSA2 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7 | - | 500 | Dettagli |