BTS115ANKSA1

MOSFET N-CH 50V 15.5A TO-220AB
BTS115ANKSA1 P1
BTS115ANKSA1 P1
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Infineon Technologies ~ BTS115ANKSA1

Numero di parte
BTS115ANKSA1
fabbricante
Infineon Technologies
Descrizione
MOSFET N-CH 50V 15.5A TO-220AB
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Numero di parte BTS115ANKSA1
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 50V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 15.5A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 735pF @ 25V
Vgs (massimo) ±10V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 120 mOhm @ 7.8A, 4.5V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore P-TO220AB
Pacchetto / caso TO-220-3

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