Le immagini sono solo di riferimento.
Vedi le Specifiche del prodotto per i dettagli del prodotto.
Numero di parte | BSZ120P03NS3EGATMA1 |
---|---|
Stato parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 11A (Ta), 40A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 6V, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.1V @ 73µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 45nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3360pF @ 15V |
Vgs (massimo) | ±25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2.1W (Ta), 52W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12 mOhm @ 20A, 10V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TSDSON-8 |
Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN |