BSM50GP60GBOSA1

IGBT 2 LOW POWER ECONO3-3
BSM50GP60GBOSA1 P1
BSM50GP60GBOSA1 P1
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Infineon Technologies ~ BSM50GP60GBOSA1

Numero di parte
BSM50GP60GBOSA1
fabbricante
Infineon Technologies
Descrizione
IGBT 2 LOW POWER ECONO3-3
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
- BSM50GP60GBOSA1 PDF online browsing
Famiglia
Transistor - IGBT - Moduli
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Numero di parte BSM50GP60GBOSA1
Stato parte Not For New Designs
Tipo IGBT -
Configurazione Three Phase Inverter
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 70A
Potenza - Max 250W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.55V @ 15V, 50A
Corrente - Limite del collettore (max) 500µA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce 2.8nF @ 25V
Ingresso Three Phase Bridge Rectifier
Termistore NTC Yes
temperatura di esercizio -40°C ~ 125°C
Tipo di montaggio Chassis Mount
Pacchetto / caso Module
Pacchetto dispositivo fornitore Module

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